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產品簡介：高真空三溫區CVD系統OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道質量流量控制器和高真空機組組成的CVD系統，其爐管直徑為4″，溫度可達1200℃，極限真空可達10-5torr，混氣系統可對1-9種氣體進行精確的混合，然后導入管式爐內部，可用來研究氣體環境對材料的影響

產品簡介：高真空快速CVD系統OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統和高真空機組組成，可進行半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達3″）的退火，并采用10KW的紅外燈進行加熱，升溫速度可達120℃/s，配有RS485接口，可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線

產品簡介：高真空CVD系統OTF-1200X-80-C2HV是由單溫區管式爐、兩路質子混氣系統和高真空機組組成，工作溫度可達1200℃，混氣系統可以對兩種氣體進行精確的混氣，然后導入管式爐內部，本系統極限真空度可達10-5torr

產品簡介：帶滑動法蘭三溫區CVD系統OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃，并通過調整三個溫區而建立不同梯度的熱場，可進行退火、擴散、在不同氣氛中燒結樣品及CVD等實驗

產品簡介：1700℃兩通道混氣高真空CVD系統GSL-1700X-4-C2HV是由單溫區管式爐、兩路質子混氣系統和高真空機組組成，工作溫度可達1600℃，混氣系統可以對兩種氣體進行精確的混氣，然后導入管式爐內部，本系統極限真空度可達10-5torr

產品簡介：1700℃單溫區三通道混氣CVD系統GSL-1700X-F3LV是由單溫區管式爐、三路浮子混氣系統和雙旋片式真空泵組成，工作溫度可達1700℃，混氣系統可以對三種氣體進行精確的混氣，真空度可達5×10-2torr