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產品簡介: 1200℃雙管滑動式四通道混氣 CVD 系統 OTF-1200X-4-C4LV 是專門為在金屬箔表面生長薄膜 而設計的,特別是應用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。
產品型號 | 1200℃雙管滑動式四通道混氣 CVD 系統 OTF-1200X-4-C4LV |
安裝條件 | 本設備要求在海拔 1000m 以下, 溫度 25℃±15℃ ,濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。 1、水:不需要 2、電: AC220V 50Hz,必須有良好接地 3、氣:設備腔室內需充注氣體,需自備氣瓶氣源 4、工作臺: 尺寸 1600mm×600mm×700mm ,承重 150kg 以上 5、通風裝置:需要 |
主要特點 | 1、采用高純氧化鋁保溫材料,保證了的溫度均勻性。 2 、內爐膛表面涂有美國進口氧化鋁涂層,可以提高反射率和保護爐膛潔凈度。 3 、采用 PID 控制器 ,可以設置 30 段升降溫程序。 4、金屬箔纏繞在內管的外表面上發生 CVD 反應。 |
5、采用雙管真空密封法蘭,允許反應氣體通過兩管之間( 10mm 間隙)。 6、冷卻氣體直接通入內管。 |
7 、配有帶 KF25 快接和波紋管的高速機械泵。 8、爐底部裝有滑軌,爐體可從一端滑向另一端, 從而實現快速升溫和降溫。為了獲得較快的 加熱速度, 可以先將爐體預熱, 然后滑至放置樣品處; 為了獲得較快的冷卻速度, 可將爐 體滑至另一端,同時將冷氣通入樣品所在處。 | |
9、密封法蘭系統采用不銹鋼制作。 10 、已通過 CE 認證。 | |
技術參數 | 管式爐 1 、電源: 單相 AC 208V-240V 50Hz/60Hz 2.5KW (20A 保險絲) 2、石英管: 外管外徑 ?100mm ,內徑 ?96mm ,長 1400mm |
內管外徑 ?80mm ,內徑 ?75mm ,長 1400mm 3、加熱元件: 摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲(表面涂有氧化鋯) 4、加熱區域: 440mm 5、恒溫區域: 120mm (± 1℃在 400℃-1100℃) | |
6 、工作溫度: 1100℃ ,連續工作 1000℃ 7、升降溫速率: 20℃/min 8、控溫精度:± 1℃ 9、真空度: 10-3torr (機械泵), 10-5torr (分子泵) | |
質量流量混氣系統 | |
1、質子流量計: 4 路精密質子流量計,數字顯示,氣體流量自動控制 MFC1 范圍 0-100sccm,MFC2 范圍 0-200sccm,MFC3 范圍 0-200sccm,MFC1 范圍 0-500sccm 2、流量精度: 0.2% 3、氣路: 4 路(每個氣路都有一個獨立的不銹鋼針閥控制) 4、進出氣口: 1/4"卡套 |
5、混氣罐: 1 個 | |
產品規格 | 尺寸: 管式爐 550mm×380mm×520mm ,移動架 600mm×600mm×597mm 重量: 135kg |
可選配件 | 1、分子泵 2、雙溫區管式爐 |
3、銅箔(生長石墨烯 150mm×150mm×25µm) |
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