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描述:產品介紹:該種cell是在S型DAC基礎上,采用高硬鈹銅加工而成,被廣泛用于低溫無磁高壓科學研究,能夠滿足軸向與徑向進光需求,可以進行光學、X-Ray和同步輻射等相應的實驗
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產品介紹:
該種cell是在S型DAC基礎上,采用高硬鈹銅加工而成,被廣泛用于低溫無磁高壓科學研究,能夠滿足軸向與徑向進光需求,可以進行光學、X-Ray和同步輻射等相應的實驗。
Sm-I型cell技術說明:
壓砧支撐材料:碳化鎢;
加壓機制:螺栓-碟簧加壓
頂部張角:60度;底部張角:60度
DAC高度:35mm
DAC外徑:47.64mm
工作距離:18mm
中心高度:6.89mm;中心孔徑:6.94mm
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?金剛石對頂砧壓腔
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