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產品簡介: SE-L 光譜橢偏儀是一款全自動高精度光譜橢偏儀,集眾多科技技術,采用行業前沿創新技術,配置全自動測量模塊。通過橢偏參數、 透射/反射率等參數的測量,快速實現光學參數薄膜和納米結構的表征分析。SE-L 光譜橢偏儀廣泛應用于半導體薄膜結構:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、 PZT 膜,激光二極管 GaN 和AlGaN、透明的電子器件、平板顯示、光伏太陽能、功能性涂料、生物和化學工程、塊狀材料分析等領域。
產品型號 | SE-L 光譜橢偏儀 |
主要特點 | 1、高精度自動測量光學橢偏測量解決方案
2、全自動變角、調焦等控制平臺,一鍵快速測量
3、軟件交互式界面配合輔助向導式設計,易上手、操作便捷
4、豐富的數據庫和幾何結構模型庫,保證強大數據分析能力
5、采用氘燈和鹵素燈復合光源,光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm)
6、高精度旋轉補償器調制、 PCRSA 配置, 實現Psi/Delta光譜數據高速采 集
7、全自動橢偏測量技術,基于行業電機控制技術,全自動調整測量角 |
| 度,高精度控制樣件臺,實現樣件快速自動對準找焦
8、頤光技術確保在寬光譜范圍內,提供優質穩定的各波段光譜
9、數百種材料數據庫、多種算法模型庫,涵蓋了目前絕大部分的光電材料 |
技術參數 | 1、自動化程度:自動變角
2、應用定位:自動型
3、基本功能: Psi/Delta、N/C/S、R/T 等光譜
4、分析光譜: 380-1000nm(可擴至 193-2500nm)
5、單次測量時間: 0.5-5s
6、重復性測量精度: 0.01nm
7、光斑大?。?/span> 大光斑 2-3mm,微光斑 200um
8、入射角調節方式:自動變角
9、入射角范圍: 45-90°
10、找焦方式:自動找焦
11、Mapping 行程: 支持 100x100mm(可選配)
12、支持樣件尺寸: 至 200mm |
可選配置 | 波段選擇
V:380-1000nm
UV:245-1000nm
XN:210-1650nm
DN+:193-2500nm 角度選擇
自動:45-90°
其他選擇 |
| Mapping 選擇:100×100mm(供參考,按需定制)
溫控臺:室溫一 600℃(供參考,按需定制) | |
可選配件 | 1 | 溫控臺 |
2 | Mapping 擴展模塊 | |
3 | 真空泵 | |
4 | 透射吸附組件 |